Что такое тайминг оперативной памяти?

Оперативная память современного компьютера характеризуется несколькими параметрами. Самые известные — это объем и частота, но также важным показателем является латентность памяти, иначе называемая тайминг.

Оперативная память компьютера (RAM) — энергозависимая память, в которой содержатся компоненты ОС и работающие программы. Объем памяти влияет на то, как много информации в ней может содержаться одновременно, а соответственно — и на количество запущенных приложений. Частота характеризует скорость работы памяти, то есть количество операций (тактов) в секунду. Прародитель компьютерной памяти был создан в 1834 году Чарльзом Бэббиджем. Это механическое устройство, именуемое «Склад» (store), сохраняло промежуточные результаты вычислений «Аналитической машины».Латентность, или тайминги, показывают количество тактов, затраченных на внутренние операции, другими словами, тайминги характеризуют простой памяти.Принцип доступа к памятиДля понимания тех или иных таймингов стоит подробнее остановится на доступе к памяти. Упрощенно чип памяти можно представить в виде таблицы, где каждая ячейка соответствует элементу памяти, хранящему один бит. При выборе определенной ячейки через адресную шину передается номер столбца и строки. Первым подается стробирующий импульс доступа к строке — RAS (Row Access Strobe), затем импульс доступа к столбцу — CAS (Column Access Strobe). После выбора ячейки на нее посылаются различные управляющие импульсы — проверка допуска к записи, запись, чтение или перезарядка. Причем между этими операциями существуют задержки, которые и называются таймингами.Виды тайминговСуществует четыре различных тайминга, указываемых производителями модулей памяти.CL (CAS-latensy) – CAS-задержка - это ожидание между импульсом CAS и началом считывания. Другими словами, количество тактов необходимое на чтение ячейки, если нужная строка уже открыта.T RCD (Row Address to Column Address Delay) – задержка между RAS и CAS импульсами. Тайминг показывает время между открытием строки и открытием столбца.T RP (Row Precharge Time). Данный тайминг — задержка между импульсом на закрытие активной строки и RAS импульсом на открытие следующей.Иногда можно повстречать запись типа 6-6-6-18-24. Здесь пятое число обозначает тайминг Command rate — задержка между импульсом на выбор микросхемы в модуле памяти и активацией строки.Сумма этих таймингов характеризует задержку между чтением конкретной ячейки памяти, если открыта другая строка. Производители чаще всего указывают именно эти три параметра, но иногда можно увидеть четвертый - T RAS.T RAS (Row Active Time) – количество тактов между RAS-импульсом и импульсом закрывающим строку (Precharge), то есть время обновления строки. Как правило T RAS равен трем предыдущим таймингам.Для удобства тайминги приводят без обозначений через дефис, например, 2-2-2 или 2-2-2-6.